DS1350YP-70-IND

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制造商
DALLAS
制造商全称
Dallas Semiconductor
功能描述
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DS1350YP-70-IND 技术参数

DS1350YP-70IND 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1350YP-70+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1350YP-70 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1350YP-100+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1350YP-100 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1351-330M DS1351-3R3M DS1351-470M DS1351-4R7M DS1351-6R8M DS1351-6R8M-B DS135AC DS135AD DS135AE DS1371U DS1371U+ DS1371U+C01 DS1371U+T&R DS1372U+ DS1372U+T&R DS1374C-18# DS1374C-3# DS1374C-3#T&R