DS1986-F3

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DS1986-F3+
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
MAXIM
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

DS1986-F3+
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
169
MAXIM
CAN
2012+
-
只做原装正品。

DS1986-F3
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
DALLAS
N/A
17+
-
原装现货，优势供应

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功能描述
iButton
RoHS
否
存储类型
SRAM
存储容量
512 B
组织
工作电源电压
3 V to 5.25 V
接口类型
1-Wire
最大工作温度
+ 85 C
尺寸
17.35 mm x 5.89 mm
封装 / 箱体
F5 MicroCan
制造商
Maxim Integrated

DS1986-F3 技术参数

DS1976-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:730mA 电流 - 饱和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.08 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.4A 97 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.4A 电流 - 饱和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:97 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:530mA 电流 - 饱和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:2.01 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:207 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 3.6A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:3.6A 电流 - 饱和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:40 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1D7BQ3 DS1E-M-DC1.5V DS1E-M-DC1.5V-R DS1E-M-DC12V DS1E-M-DC12V-TB DS1E-M-DC24V DS1E-M-DC24V-TB DS1E-M-DC3V DS1E-M-DC5V DS1E-M-DC5V-R DS1E-M-DC6V DS1E-M-DC9V DS1E-M-DC9V-R DS1E-ML2-DC1.5V DS1E-ML2-DC12V DS1E-ML2-DC24V DS1E-ML2-DC24V-R DS1E-ML2-DC3V