DS30CDE

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DS30CDE 技术参数

DS30BA101SQX/NOPB 功能描述:IC BUFF DIFF 3.125GBPS 16LLP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 信号缓冲器，中继器，分配器系列:* 标准包装:160 系列:- 类型:转发器 Tx/Rx类型:以太网延迟时间:- 电容 - 输入:- 电源电压:2.37 V ~ 2.63 V 电流 - 电源:60mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:64-TQFP 裸露焊盘供应商设备封装:64-TQFP-EP（10x10）包装:托盘其它名称:Q5134101 DS30BA101SQE/NOPB 功能描述:IC BUFF DIFF 3.125GBPS 16LLP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 信号缓冲器，中继器，分配器系列:* 标准包装:160 系列:- 类型:转发器 Tx/Rx类型:以太网延迟时间:- 电容 - 输入:- 电源电压:2.37 V ~ 2.63 V 电流 - 电源:60mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:64-TQFP 裸露焊盘供应商设备封装:64-TQFP-EP（10x10）包装:托盘其它名称:Q5134101 DS30BA101SQ/NOPB 功能描述:IC BUFF DIFF 3.125GBPS 16LLP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 信号缓冲器，中继器，分配器系列:* 标准包装:160 系列:- 类型:转发器 Tx/Rx类型:以太网延迟时间:- 电容 - 输入:- 电源电压:2.37 V ~ 2.63 V 电流 - 电源:60mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:64-TQFP 裸露焊盘供应商设备封装:64-TQFP-EP（10x10）包装:托盘其它名称:Q5134101 DS3070W-100# 功能描述:NVRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS3065WP-100IND+ 功能描述:NVRAM 1.2-5.5V 15kV ESD Pro 8Ch Level RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS3100DK DS3100GN+ DS3102DK DS3102GN+ DS3104DK DS3104GN+ DS3105DK DS3105LN+ DS3106DK DS3106LN+ DS3112 DS3112+ DS3112+W DS3112D1 DS3112D1+ DS3112DK DS3112N DS3112N+