配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

DMP2130LDM-7
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
DIODES美台
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

DMP2130L-7
深圳市信通吉电子有限公司
深圳市信通吉电子有限公司
联系人：冯
电话：17841084408
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20
18320
原装正品
SOT23
2019+
-
香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

DMP2130LDM-7
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3169
DIODES
SOT-23-6
2220+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

DMP2130L
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

DMP2130L-7
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
DIODES
SOT-23
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

DMP2130L-7
深圳市盛芯世纪科技有限公司
深圳市盛芯世纪科技有限公司
联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
100
DIODES INCORPORATED
DIODES INCORPORATED
21+
-
原装正品www.dz-ic.cn

DMP2130L
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
65000
Diodes
SOT-23
1305+
-
原装现货库存

DMP2130LDM-7
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
24000
DIODES/美台
SOT-23-6
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

DMP2130LDM-7
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
10000
DIODES/美台
SOT23-6
22+
-
深圳现货

DMP2130L-7
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
DIODES INC.
主营优势
1847
-
100%原装正品★终端免费供样★

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DMP2130 技术参数

DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 2.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN2015H4-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:48.7nC @ 8V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 6.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 DMP1555UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.84nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:55.4pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP-1.0 X 1.5 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.500" (38.10mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装零件状态:停产类型:2 件高度 - 总:0.250"（6.35 mm）长度 - 总:1.000"（25.40mm）宽度 - 总:1.500"（38.10mm）通风:实心安装类型:焊接式和卡入式标准包装:1 DMP-1.0 X 1.0 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.000" (25.40mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装零件状态:停产类型:2 件高度 - 总:0.250"（6.35 mm）长度 - 总:1.000"（25.40mm）宽度 - 总:1.000"（25.40mm）通风:实心安装类型:焊接式和卡入式标准包装:1 DMP21D0UFB4-7B DMP21D0UFB-7 DMP21D0UFD-7 DMP21D0UT-7 DMP21D2UFA-7B DMP21D5UFB4-7B DMP21D5UFD-7 DMP21D6UFD-7 DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-7 DMP2215L-7 DMP2225L-7 DMP2240UDM-7 DMP2240UW-7 DMP2240UWQ-7 DMP22D4UDA-7B DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFO-7B

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