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DS1230AB-70IND

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功能描述
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
数据总线宽度
8 bit
存储容量
1024 Kbit
组织
128 K x 8
接口类型
Parallel
访问时间
70 ns
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
4.5 V
工作电流
85 mA
最大工作温度
+ 70 C
最小工作温度
0 C
封装 / 箱体
EDIP
封装
Tube

DS1230AB-70IND 技术参数

DS1230AB-70+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1230AB-70 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1230AB-200IND 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1230AB-200+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1230AB-200 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1230W-100 DS1230W-100+ DS1230W-100IND DS1230W-100IND+ DS1230W-150 DS1230W-150+ DS1230WP-100+ DS1230WP-150 DS1230WP-150+ DS1230Y-100 DS1230Y-100+ DS1230Y-120 DS1230Y-120+ DS1230Y-120IND DS1230Y-120IND+ DS1230Y-150 DS1230Y-150+ DS1230Y-200