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参数资料
| 型号： | DBFZ800R12KE320 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模块 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | DBFZ800R12KE320 |
3
Technische Information / technical information
FZ800R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Martin Knecht
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2003-8-26
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V￥
2,5
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Cu
Material für innere Isolation
material for internal insulation
Alè0é
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
20,0
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,0
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 425
min.
typ.
max.
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
0,01
K/W
Modulinduktivitt
stray inductance module
Lù
16
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T = 25°C, pro Schalter / per switch
Róó
0,50
m
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TY èà
150
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
TY ó
-40
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tùú
-40
125
°C
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
M
3,00
-
6,00
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Schraube / screw M4
Schraube / screw M6
M
1,1
2,5
-
-
2,0
5,0
Nm
Nm
Gewicht
weight
G
340
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DBFZ800R12KL4CV | IGBT Module |
| DBFZ800R33KF2C20 | IGBT Module |
| DBFZ800R33KF2V | IGBT Module |
| DBG150G | Diffused Junction Silicon Diode 15A Single-Phase Bridge Rectifier |
| DBG250G | Diffused Junction Silicon Diode 25A Single-Phase Bridge Rectifier |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DBG | 制造商:Schneider Electric 功能描述:480/277V DIAGNOSTIC PCB - Bulk |
| DBG-102EF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DBG-102LTF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DBG-103EF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DBG-103LTF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
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