| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 描述 | TRANS NPN W/RES 50V 100MA MINI3 |
| 产品目录绘图 | PNP, NPN Mini Type |
标准包装 | 1 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 47k |
电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 160 @ 5mA，10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 迷你型3-G3-B |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DRC2144T0LCT |
DRC2144T0L 同类产品
| 型号 | PBSS9110Z,135 | 数量 | 12,000 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | 
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | NXP Semiconductors | 描述 | TRANS PNP 100V 1A SOT223 |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
标准包装 | 4,000 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 320mV @ 100mA，1A |
电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 150 @ 500mA，5V |
功率 - 最大 | 1.4W |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
供应商设备封装 | SC-73 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 型号 | LTC4089EDJC-5#PBF | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | Linear Technology | 描述 | IC USB POWER MANAGER 22-DFN |
| 标准包装 | 61 | 系列 | - |
| 功能 | 电源管理 |
电池化学 | 锂离子（Li-Ion） |
| 电源电压 | 4.35 V ~ 5.5 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 22-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 22-DFN（6x3）裸露焊盘 |
包装 | 管件 |
| 型号 | DRC2144T0L | 数量 | 3,000 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 描述 | TRANS NPN W/RES 50V 100MA MINI3 |
| 产品目录绘图 | PNP, NPN Mini Type |
标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 47k |
电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 160 @ 5mA，10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 迷你型3-G3-B |
| 包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DRC2144T0LTR |
| 型号 | LT3650EMSE-8.4#TRPBF | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | Linear Technology | 描述 | IC CHARGER LI-ION 8.4V 2A 12MSOP |
| 标准包装 | 2,500 | 系列 | - |
| 功能 | 充电管理 |
电池化学 | 锂离子（Li-Ion）、锂聚合物（Li-Pol） |
| 电源电压 | 9 V ~ 32 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 12-TSSOP （0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 12-MSOP，裸露焊盘 |
包装 | 带卷 (TR) |
| 型号 | DRC2143T0L | 数量 | 2,536 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 描述 | TRANS NPN W/RES 50V 100MA MINI3 |
| 产品目录绘图 | PNP, NPN Mini Type |
标准包装 | 1 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 4.7k |
电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 160 @ 5mA，10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 迷你型3-G3-B |
| 包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DRC2143T0LDKR |
| 型号 | PBSS9110Z,135 | 数量 | 7,320 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | NXP Semiconductors | 描述 | TRANS PNP 100V 1A SOT223 |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
标准包装 | 1 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 320mV @ 100mA，1A |
电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 150 @ 500mA，5V |
功率 - 最大 | 1.4W |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
供应商设备封装 | SC-73 |
| 包装 | 标准包装 | 其它名称 | 568-6798-6 |
| 型号 | DRC2143T0L | 数量 | 2,536 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 描述 | TRANS NPN W/RES 50V 100MA MINI3 |
| 产品目录绘图 | PNP, NPN Mini Type |
标准包装 | 1 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 4.7k |
电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 160 @ 5mA，10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 迷你型3-G3-B |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DRC2143T0LCT |
| 型号 | TPA3200D1EVM | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | Texas Instruments | 描述 | EVALUATION MODULE FOR TPA3200D1 |
| 标准包装 | 1 | 系列 | - |
| 放大器类型 | D 类 |
输出类型 | 1-通道（单声道） |
| 在某负载时最大输出功率 x 通道数量 | 20W x 1 @ 8 欧姆 |
电源电压 | 8 V ~ 18 V |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
板类型 | 完全填充 |
| 已用 IC / 零件 | TPA3200D1 |
已供物品 | 板 |
| 相关产品 | TPA3200D1DCPRG4-ND - IC AMP AUDIO PWR 20W D 44TSSOP TPA3200D1DCPR-ND - IC AMP AUDIO PWR 20W D 44TSSOP TPA3200D1DCPG4-ND - IC AMP AUDIO PWR 20W D 44TSSOP 296-18302-5-ND - IC AMP AUDIO PWR 20W D 44TSSOP |
其它名称 | 296-21140 |
| 型号 | DRC2143T0L | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 描述 | TRANS NPN W/RES 50V 100MA MINI3 |
| 产品目录绘图 | PNP, NPN Mini Type |
标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 4.7k |
电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 160 @ 5mA，10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 迷你型3-G3-B |
| 包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DRC2143T0LTR |
| 型号 | DRC2124E0L | 数量 | 5,905 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 制造商 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 描述 | TRANS NPN W/RES 50V 100MA MINI3 |
| 产品目录绘图 | PNP, NPN Mini Type |
标准包装 | 1 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 22k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 5mA，10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 迷你型3-G3-B |
| 包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DRC2124E0LDKR |