产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 描述 | TRANS PNP 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 10k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 标准包装 | 其它名称 | DTA114GKAT146DKR |
DTA114GKAT146 同类产品
型号 | 2SB1412TLR | 数量 | 3,616 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 20V 5A SOT-428 |
产品目录绘图 | SOT-428 Package Side SOT-428 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 1V @ 100mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 180 @ 500mA,2V |
功率 - 最大 | 1W |
频率 - 转换 | 120MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | CPT3 |
包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 1646 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 2SB1412TLRDKR |
型号 | DTA114GKAT146 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 10k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | DTA114GKAT146CT |
型号 | EMVE6R3ADA102MJA0G | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | United Chemi-Con | 描述 | CAP ALUM 1000UF 6.3V 20% SMD |
产品目录绘图 | JA0 Bottom JA0_10 x 10 |
标准包装 | 5 |
系列 | Alchip™ MVE | 电容 | 1000µF |
额定电压 | 6.3V |
容差 | ±20% |
寿命@温度 | 105°C 时为 2000 小时 |
工作温度 | -40°C ~ 105°C |
特点 | 通用 |
纹波电流 | 410mA |
ESR(等效串联电阻) | - |
阻抗 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 径向,Can - SMD |
尺寸/尺寸 | 0.394" 直径(10.00mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.394"(10.00mm) |
引线间隔 | - |
表面贴装占地面积 | 0.406" L x 0.406" W(10.30mm x 10.30mm) |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | 565-2175-1 |
型号 | A3CKA-2018M | 数量 | 0 增值物件 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | TE Connectivity | 描述 | IDC CABLE- AKN20A/ AE20M / APK20 |
标准包装 | 1 | 系列 | - |
连接器类型 | 插口至插头 |
位置数 | 20 |
行数 | 2 |
间距 - 连接器 | 0.100"(2.54mm) |
间距 - 线缆 | 0.050"(1.27mm) |
长度 | 1.50'(457.20mm) |
特点 | 电极标记 |
颜色 | 多色,带状 |
屏蔽 | 无屏蔽 |
使用 | - |
电缆端接 | IDC |
触点表面涂层 | 金 |
触点涂层厚度 | 30µin(0.76µm) |
型号 | 2SB1412TLR | 数量 | 3,616 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 20V 5A SOT-428 |
产品目录绘图 | SOT-428 Package Side SOT-428 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 1V @ 100mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 180 @ 500mA,2V |
功率 - 最大 | 1W |
频率 - 转换 | 120MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | CPT3 |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1646 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 2SB1412TLRCT |
型号 | DTA114GKAT146 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 10k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | DTA114GKAT146-ND DTA114GKAT146TR |
型号 | 2SB1412TLR | 数量 | 2,500 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 20V 5A SOT-428 |
产品目录绘图 | SOT-428 Package Side SOT-428 Package Top |
标准包装 | 2,500 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 1V @ 100mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 180 @ 500mA,2V |
功率 - 最大 | 1W |
频率 - 转换 | 120MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | CPT3 |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1646 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 2SB1412TLR-ND 2SB1412TLRTR |
型号 | DTC144WETL | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT-416 |
产品目录绘图 | SOT-416 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 47k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 22k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 56 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
供应商设备封装 | EMT3 |
包装 | 标准包装 | 其它名称 | DTC144WETLDKR |
型号 | EMVE6R3ADA102MJA0G | 数量 | 3,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | United Chemi-Con | 描述 | CAP ALUM 1000UF 6.3V 20% SMD |
产品目录绘图 | JA0 Bottom JA0_10 x 10 |
标准包装 | 500 |
系列 | Alchip™ MVE | 电容 | 1000µF |
额定电压 | 6.3V |
容差 | ±20% |
寿命@温度 | 105°C 时为 2000 小时 |
工作温度 | -40°C ~ 105°C |
特点 | 通用 |
纹波电流 | 410mA |
ESR(等效串联电阻) | - |
阻抗 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 径向,Can - SMD |
尺寸/尺寸 | 0.394" 直径(10.00mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.394"(10.00mm) |
引线间隔 | - |
表面贴装占地面积 | 0.406" L x 0.406" W(10.30mm x 10.30mm) |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 565-2175-2 |
型号 | A3CKA-2018G | 数量 | 0 增值物件 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | TE Connectivity | 描述 | IDC CABLE-AKN20A/ AE20G / APK20A |
标准包装 | 1 | 系列 | - |
连接器类型 | 插口至插头 |
位置数 | 20 |
行数 | 2 |
间距 - 连接器 | 0.100"(2.54mm) |
间距 - 线缆 | 0.050"(1.27mm) |
长度 | 1.50'(457.20mm) |
特点 | 电极标记 |
颜色 | 灰色,带状 |
屏蔽 | 无屏蔽 |
使用 | - |
电缆端接 | IDC |
触点表面涂层 | 金 |
触点涂层厚度 | 30µin(0.76µm) |