产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 描述 | TRANS PNP 50V 30MA VMT3 |
产品目录绘图 | VMT-3 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 47k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 47k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 68 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-723 |
供应商设备封装 | VMT3 |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1642 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTA144EMT2LCT |
DTA144EMT2L 同类产品
型号 | IPS-BASE | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Altera | 描述 | IP BASE SUITE |
标准包装 | 1 | 系列 | * |
类型 | - |
功能 | IP 功能套件 |
许可证 | 初始许可证 |
型号 | IMC1210SYR10K | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Vishay Dale | 描述 | INDUCTOR WW 100NH 10% 1210 |
标准包装 | 2,000 | 系列 | IMC-1210 |
电感 | 100nH |
电流 | 450mA |
电流 - 饱和 | - |
电流 - 温升 | - |
类型 | 非磁性芯体 |
容差 | ±10% |
屏蔽 | 无屏蔽 |
DC 电阻(DCR) | 最大 440 毫欧 |
Q因子@频率 | 30 @ 50MHz |
频率 - 自谐振 | 700MHz |
材料 - 芯体 | 无磁性 |
封装/外壳 | 1210(3225 公制) |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 带卷 (TR) |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
频率 - 测试 | 50MHz |
型号 | UWX1H330MCL1GB | 数量 | 69,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Nichicon | 描述 | CAP ALUM 33UF 50V 20% SMD |
产品目录绘图 | WX Series Top WX Series Side_8.0 WX Series Bottom_8.0 |
标准包装 | 1,000 |
系列 | WX | 电容 | 33µF |
额定电压 | 50V |
容差 | ±20% |
寿命@温度 | 85°C 时为 2000 小时 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
特点 | 通用 |
纹波电流 | 71mA |
ESR(等效串联电阻) | - |
阻抗 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 径向,Can - SMD |
尺寸/尺寸 | 0.315" 直径(8.00mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.213"(5.40mm) |
引线间隔 | - |
表面贴装占地面积 | 0.327" L x 0.327" W(8.30mm x 8.30mm) |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1970 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 493-2137-2 |
型号 | IMC1210SY82NK | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Vishay Dale | 描述 | INDUCTOR WW 82NH 10% 1210 |
标准包装 | 2,000 | 系列 | IMC-1210 |
电感 | 82nH |
电流 | 450mA |
电流 - 饱和 | - |
电流 - 温升 | - |
类型 | 非磁性芯体 |
容差 | ±10% |
屏蔽 | 无屏蔽 |
DC 电阻(DCR) | 最大 400 毫欧 |
Q因子@频率 | 30 @ 50MHz |
频率 - 自谐振 | 900MHz |
材料 - 芯体 | 无磁性 |
封装/外壳 | 1210(3225 公制) |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 带卷 (TR) |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
频率 - 测试 | 50MHz |
型号 | 175101-19-36.00 | 数量 | 22 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Amphenol Connex | 描述 | CABLE RG58 N TYPE PLUG-PLUG 36" |
标准包装 | 1 | 系列 | - |
类型 | 公型至公型 |
样式 | N 型至 N 型 |
第一连接器 | N 公插头 |
第二连接器 | N 公插头 |
长度 | 36.0"(914.4mm) |
缆线类型 | RG-58 |
阻抗 | 50 欧姆 |
频率 - 最大 | - |
颜色 | - |
特点 | - |
工作温度 | - |
其它名称 | ACX2106 |
型号 | DTA144EMT2L | 数量 | 24,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 50V 30MA VMT3 |
产品目录绘图 | VMT-3 Package Top |
标准包装 | 8,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 47k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 47k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 68 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-723 |
供应商设备封装 | VMT3 |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1642 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTA144EMT2L-ND DTA144EMT2LTR |
型号 | DTC124TKAT146 | 数量 | 5,912 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 1640 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTC124TKAT146DKR |
型号 | GEM24DCBI-S189 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Sullins Connector Solutions | 描述 | CONN EDGECARD 48POS R/A .156 SLD |
标准包装 | 1 | 系列 | - |
卡类型 | 非指定 - 双边 |
类型 | 母头 |
Number of Positions/Bay/Row | 24 |
位置数 | 48 |
卡厚度 | 0.062"(1.57mm) |
行数 | 2 |
间距 | 0.156"(3.96mm) |
特点 | - |
安装类型 | 通孔,直角 |
端子 | 焊接 |
触点材料 | 磷青铜 |
触点表面涂层 | 锡 |
触点涂层厚度 | 100µin(2.54µm) |
触点类型: | 发夹式波纹管 |
颜色 | 黑 |
包装 | 托盘 |
法兰特点 | 顶部安装开口,螺纹插件,4-40 |
材料 - 绝缘体 | 聚酰胺(PA9T) |
工作温度 | -65°C ~ 125°C |
读数 | 双 |
型号 | DTC124TKAT146 | 数量 | 5,912 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1640 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTC124TKAT146CT |
型号 | DTC124TKAT146 | 数量 | 3,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1640 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTC124TKAT146-ND DTC124TKAT146TR |