产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 1640 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTC124TKAT146DKR |
DTC124TKAT146 同类产品
型号 | GEM24DCBI-S189 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Sullins Connector Solutions | 描述 | CONN EDGECARD 48POS R/A .156 SLD |
标准包装 | 1 | 系列 | - |
卡类型 | 非指定 - 双边 |
类型 | 母头 |
Number of Positions/Bay/Row | 24 |
位置数 | 48 |
卡厚度 | 0.062"(1.57mm) |
行数 | 2 |
间距 | 0.156"(3.96mm) |
特点 | - |
安装类型 | 通孔,直角 |
端子 | 焊接 |
触点材料 | 磷青铜 |
触点表面涂层 | 锡 |
触点涂层厚度 | 100µin(2.54µm) |
触点类型: | 发夹式波纹管 |
颜色 | 黑 |
包装 | 托盘 |
法兰特点 | 顶部安装开口,螺纹插件,4-40 |
材料 - 绝缘体 | 聚酰胺(PA9T) |
工作温度 | -65°C ~ 125°C |
读数 | 双 |
型号 | DTC124TKAT146 | 数量 | 5,912 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1640 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTC124TKAT146CT |
型号 | DTC124TKAT146 | 数量 | 3,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1640 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTC124TKAT146-ND DTC124TKAT146TR |
型号 | BQ24747RHDT | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Texas Instruments | 描述 | IC SYNC BATTERY CHARGER 28QFN |
标准包装 | 250 | 系列 | - |
功能 | 充电管理 |
电池化学 | 多化学 |
电源电压 | 7 V ~ 24 V |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 28-VFQFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | 28-VQFN-EP(5x5) |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1019 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 296-25287-2 |
型号 | DTA124XKAT146 | 数量 | 5,501 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 50V 50MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 47k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 68 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 1641 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTA124XKAT146DKR |
型号 | DSC9001R0L | 数量 | 8,207 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SSMINI3 |
产品目录绘图 | Transistor S-Mini 3-Pin |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 210 @ 2mA,10V |
功率 - 最大 | 125mW |
频率 - 转换 | 150MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
供应商设备封装 | SS-Mini3-F3-B |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1494 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DSC9001R0LCT |
型号 | DTA124XKAT146 | 数量 | 5,501 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 50V 50MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 47k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 68 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1641 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTA124XKAT146CT |
型号 | UWX0J331MCL1GB | 数量 | 257,883 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Nichicon | 描述 | CAP ALUM 330UF 6.3V 20% SMD |
产品目录绘图 | WX Series Top WX Series Side_8.0 WX Series Bottom_8.0 |
标准包装 | 1 |
系列 | WX | 电容 | 330µF |
额定电压 | 6.3V |
容差 | ±20% |
寿命@温度 | 85°C 时为 2000 小时 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
特点 | 通用 |
纹波电流 | 170mA |
ESR(等效串联电阻) | - |
阻抗 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 径向,Can - SMD |
尺寸/尺寸 | 0.315" 直径(8.00mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.213"(5.40mm) |
引线间隔 | - |
表面贴装占地面积 | 0.327" L x 0.327" W(8.30mm x 8.30mm) |
包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 1969 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 493-2091-6 |
型号 | DTA124XKAT146 | 数量 | 3,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 50V 50MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 47k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 68 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1641 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTA124XKAT146-ND DTA124XKAT146TR |
型号 | DTA113ZKAT146 | 数量 | 11,676 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Rohm Semiconductor | 描述 | TRANS PNP 50V 100MA SOT-346 |
产品目录绘图 | SOT-346 Package Top |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 1k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 10k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 33 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SMT |
包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 1641 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DTA113ZKAT146DKR |