| 品牌 | samsung(三星) | 型号 | cl10c820jb8nnnc |
| 介质材料 | 陶瓷(瓷介) | 应用范围 | 晶体管电路 |
| 外形 | 长方形 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 调节方式 | 固定 |
| 引线类型 | 无引线 | 允许偏差 | ±5（%） |
| 耐压值 | 50（v） | 等效串联电阻(esr) | 无（mω） |
| 标称容量 | 无（uf） | 损耗 | 0.0001-0.003 |
| 额定电压 | 220（v） | 绝缘电阻 | 无（mω） |
| 温度系数 | -55-125摄氏度 |
npo是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 npo电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3δc。npo电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。npo电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了npo电容器可选取的容量范围。 封 装 dc=50v dc=100v 0805 0.5---1000pf 0.5---820pf 1206 0.5---1200pf 0.5---1800pf 1210 560---5600pf 560---2700pf 2225 1000pf---0.033μf 1000pf---0.018μf npo电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。