vt8538开关电源ic

vt8538ac实用高效率高频开关电源控制ic
  vt853高性能pwm控制芯片:用于高性能、低待机功耗的离线反激变换器的控制。
在空载或轻载时，芯片工作在轻载模式，减小开关损耗，提高效率。芯片的低启动电流，使得启动电路可以采用阻值大的启动电阻，来减小待机电流。自带各种保护功能，包括每周期的过流保护、过载保护、输入电压的过压及欠压保护等。抖频工作技术以及带软开关控制的图腾柱式驱动输出可以达到极佳的emi性能。

产品应用原理电路图:

主要特点
* 开关的抖频控制提高emi性能
* 轻负载模式减小待机功耗
* 外部设置开关频率
* 3μa低启动电流
* 内置前沿消隐电路
* 输入电压的过压及欠压保护
* 栅驱动输出高电压钳位
* 输出过流保护
* 过负载保护
* sot-23-6

fs=6500 / ri  <khz>   ri=r3= 50k至150k欧姆

功能描述 :vt8538ac是电流模式的pwm控制芯片，应用于离线式反激变换器的应用。以下是对芯片各功能的具体描述。 启动控制 :vt8538ac的启动电流很低，因此可以快速启动。外部启动电路可以采用较大的启动电阻，在保证启动正常的同时减小待机功耗。在输入电压范围之内，可以采用2 m?，1/8 w的启动电阻。抖频控制 :芯片采用抖频控制来改善emi性能。 振荡频率随机调制后，基频的能量被扩展到一个窄频带中，从而减小基频处的电磁干扰。整个应用系统的设计会变得更简单。 轻负载模式在轻负载或空载条件下，mosfet的开关损耗、变压器的损耗以及外部snubber电路的损耗占总功耗的很大一部分。而以上这些损耗正比与单位时间内的开关次数。所以减小单位时间内的开关次数将直接降低以上损耗。在轻负载或空载时刻进入轻负载工作模式。只有当输出电压降低到设定设定值时，mosfet才开始开关工作，同时，开关频率也降低。否则，mosfet一直截至。 振荡频率设置 振荡由ri和gnd之间的外接电阻值决定，两者之间的关系如下公式所示。 fs=6500/ri，<khz>  其中，rri为外接电阻值，单位是k?。 <ri=r3=50k至150k> 电流检测和前沿消隐在mosfet开启的时刻，由于缓冲电路中的二极管反向恢复会产生的电流毛刺。该毛刺会影响pwm比较器的误判，必须去除。芯片中sense端内置的前沿消隐电路实现这一功能，原先需要的外围rc滤波电路则可以省去。在前沿消隐时间内，pwm比较器和限流比较器是不工作的，mosfet开关在这段时间内是保持导通状态的。所以，mosfet开关开启的最小时间就是前沿消隐的时间。栅驱动gate管脚连接到外部mosfet的栅，来实现对mosfet的开关控制。gate的驱动能力太弱，mosfet的开关损耗会增加；反之，gate的驱动能力太强，则会带来emi问题。因此，芯片的图腾柱式的驱动输出部分在驱动能力和死区时间之间进行了折衷。gate的输出高电平被钳位在13v，以保护外部mosfet的安全。 保护功能 芯片自带各种保护功能，包括每周期的过流保护、过载保护、输入电压的过压及欠压保护等。 通过输入电压补偿的过流保护阈值电压，实现输出的恒功率控制。vdd由外部变压器的辅助绕组输出供电。当vdd电压过高时，被钳位在阈值处；当vdd电压过低时，mosfet开关截止，系统重新进入上电复位过程。当fb电压超过过载保护电压阈值，且维持时间达到时，mosfet开关截止，vdd电压开始下降，当vdd低于uvlo阈值后，重新复位启动。