分离式半导体产品 NSBC143TPDXV6T5G品牌、价格、PDF参数
NSBC143TPDXV6T5G • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| NSBC143TPDXV6T5G |
ON Semiconductor |
TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563 |
0 |
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| NSBC124XPDXV6T5G |
ON Semiconductor |
TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563 |
0 |
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| NSBA124EDXV6T5G |
ON Semiconductor |
TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563 |
0 |
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| NSBC124XPDXV6T1G |
ON Semiconductor |
TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
0 |
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| NSBC123EPDXV6T1G |
ON Semiconductor |
TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
0 |
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| EMC4DXV5T1G |
ON Semiconductor |
TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553 |
0 |
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NSBC143TPDXV6T5G • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
100mA
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| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
50V
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| 电阻器 - 基极 (R1)（欧）: |
4.7k
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| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: |
-
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| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): |
160 @ 5mA，10V
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| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: |
250mV @ 300µA，10mA
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| 电流 - 集电极截止（最大）: |
500nA
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| 频率 - 转换: |
-
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| 功率 - 最大: |
500mW
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| 封装/外壳: |
SOT-563，SOT-666
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| 供应商设备封装: |
SOT-563
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| 包装: |
带卷 (TR)
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