分离式半导体产品 PUMD10,115品牌、价格、PDF参数
PUMD10,115 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| PUMD10,115 |
NXP Semiconductors |
TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363 |
0 |
12,000:$0.04233
|
| PUMD20,115 |
NXP Semiconductors |
TRANS PREBIASED DUAL SOT363 |
0 |
12,000:$0.04233
|
| PUMD24,115 |
NXP Semiconductors |
TRANS PREBIASED DUAL SOT666 |
0 |
12,000:$0.04233
|
| PUMH14,115 |
NXP Semiconductors |
TRANS NPN 50V 100MA SOT363 |
0 |
12,000:$0.04233
|
| PUMH13,115 |
NXP Semiconductors |
TRANS NPN 50V 100MA SOT363 |
0 |
12,000:$0.04233
|
| PUMD10,135 |
NXP Semiconductors |
TRANS ARRAY NPN/PNP SOT-363 |
0 |
10,000:$0.04200
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PUMD10,115 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
100mA
|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
50V
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| 电阻器 - 基极 (R1)（欧）: |
2.2k
|
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: |
47k
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| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): |
100 @ 10mA，5V
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| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: |
100mV @ 250µA，5mA
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| 电流 - 集电极截止（最大）: |
1µA
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| 频率 - 转换: |
-
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| 功率 - 最大: |
300mW
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| 封装/外壳: |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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| 供应商设备封装: |
6-TSSOP
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| 包装: |
带卷 (TR)
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