分离式半导体产品 KSD1691GSTU品牌、价格、PDF参数
KSD1691GSTU • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| KSD1691GSTU |
Fairchild Semiconductor |
TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126 |
0 |
|
| BC639_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS NPN EPTXL 80V 100MA TO-92 |
0 |
|
| BC63916_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS NPN EPTXL 80V 1A TO-92 |
0 |
|
| BC214LB_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS BIPO GP PNP 30V 500MA TO-9 |
0 |
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| BC560_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS PNP EPTXL 45V 100MA TO-92 |
0 |
|
| BC559_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS PNP EPTXL 30V 100MA TO-92 |
0 |
|
| BC558B_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS PNP EPTXL 30V 100MA TO-92 |
0 |
|
| BC557_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS PNP EPTXL 45V 100MA TO-92 |
0 |
|
| BC557B_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS PNP EPTXL 45V 100MA TO-92 |
0 |
|
| BC556_J35Z |
Fairchild Semiconductor |
TRANS PNP EPTXL 65V 100MA TO-92 |
0 |
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KSD1691GSTU • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
|
| 晶体管类型: |
NPN
|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
5A
|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
60V
|
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: |
300mV @ 200mA，2A
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| 电流 - 集电极截止（最大）: |
-
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| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): |
200 @ 2A，1V
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| 功率 - 最大: |
1.3W
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| 频率 - 转换: |
-
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| 安装类型: |
通孔
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| 封装/外壳: |
TO-225AA，TO-126-3
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| 供应商设备封装: |
TO-126
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| 包装: |
管件
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