分离式半导体产品 BCR 108 B6327品牌、价格、PDF参数
BCR 108 B6327 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| BCR 108 B6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23 |
0 |
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| BCR 103T E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75 |
0 |
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| BCR 103L3 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP3-4 |
0 |
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| BCR 103F E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 |
0 |
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| BCR 101T E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN 50V 50MA SC-75 |
0 |
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| BCR 101L3 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN 50V 50MA TSLP3-4 |
0 |
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BCR 108 B6327 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
100mA
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| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
50V
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| 电阻器 - 基极 (R1)（欧）: |
2.2k
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| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: |
47k
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| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): |
70 @ 5mA，5V
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| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: |
300mV @ 500µA，10mA
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| 电流 - 集电极截止（最大）: |
-
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| 频率 - 转换: |
170MHz
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| 功率 - 最大: |
200mW
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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| 供应商设备封装: |
PG-SOT23-3
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| 包装: |
带卷 (TR)
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