分离式半导体产品 RN1411T5LFT品牌、价格、PDF参数
RN1411T5LFT • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| RN1411T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.04400
|
| RN2406T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.04000
|
| RN1402T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.04000
|
| RN1410T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.03800
|
| RN1401T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.03600
|
| RN2404T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SMINI |
0 |
9,000:$0.03290
|
| RN1405T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
9,000:$0.03290
|
| RN1406T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
9,000:$0.03000
|
RN1411T5LFT • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
100mA
|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
50V
|
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧）: |
10k
|
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: |
-
|
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): |
120 @ 1mA，5V
|
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: |
300mV @ 250µA，5mA
|
| 电流 - 集电极截止（最大）: |
-
|
| 频率 - 转换: |
250MHz
|
| 功率 - 最大: |
200mW
|
| 安装类型: |
表面贴装
|
| 封装/外壳: |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
|
| 供应商设备封装: |
S-Mini
|
| 包装: |
带卷 (TR)
|