分离式半导体产品 DDTB114TC-7-F品牌、价格、PDF参数
DDTB114TC-7-F • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| DDTB114TC-7-F |
Diodes Inc |
TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
0 |
3,000:$0.04140
|
| DDTB114GC-7-F |
Diodes Inc |
TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
0 |
3,000:$0.04140
|
| DDTB114EC-7-F |
Diodes Inc |
TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
0 |
3,000:$0.04140
|
| DDTB113ZC-7-F |
Diodes Inc |
TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
0 |
3,000:$0.04140
|
| DDTB113EC-7-F |
Diodes Inc |
TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
0 |
3,000:$0.04140
|
| DDTA144TUA-7-F |
Diodes Inc |
TRANS PNP W/RES 50V 100MA SC70-3 |
0 |
3,000:$0.04140
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DDTB114TC-7-F • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
500mA
|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
50V
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| 电阻器 - 基极 (R1)（欧）: |
10k
|
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: |
-
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| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): |
100 @ 5mA，5V
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| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: |
300mV @ 2.5mA，50mA
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| 电流 - 集电极截止（最大）: |
-
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| 频率 - 转换: |
200MHz
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| 功率 - 最大: |
200mW
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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| 供应商设备封装: |
SOT-23-3
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| 包装: |
带卷 (TR)
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