分离式半导体产品 PDTA115EU,115品牌、价格、PDF参数

PDTA115EU,115 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PDTA115EU,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-323 0 12,000:$0.04100
PDTA143TE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 54,000 3,000:$0.04800
6,000:$0.04320
15,000:$0.03840
30,000:$0.03600
PDTA143TE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 0
PDTA143TE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 0
PDTA143TE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 0 9,000:$0.05400
PDTC143ZU,115 NXP Semiconductors TRANS NPN 50V 100MA SOT323 6,000 3,000:$0.04800
6,000:$0.04320
PDTC143ZU,115 NXP Semiconductors TRANS NPN 50V 100MA SOT323 0 9,000:$0.05400
PDTA115TE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 6,000 3,000:$0.04416
6,000:$0.03840
PDTA115TE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 0
PDTA115TE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 0
PDTA115TE,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 0 12,000:$0.04100
PDTA115EU,115 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧): 100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧): 100k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 80 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大): 150mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大): 1µA
频率 - 转换: -
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SC-70
包装: 带卷 (TR)