元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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PDTD113ET,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 | 186,000 | 3,000:$0.04800 6,000:$0.04320 15,000:$0.03840 30,000:$0.03600 75,000:$0.03540 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大): | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大): | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧): | 1k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧): | 1k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): | 33 @ 50mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大): | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大): | 500nA |
频率 - 转换: | - |
功率 - 最大: | 250mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装: | TO-236AB |
包装: | 带卷 (TR) |