元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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PDTA113ET,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 | 18,000 | 3,000:$0.02407 6,000:$0.02171 15,000:$0.01888 |
PDTA113ET,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 | 0 | 24,000:$0.02124 |
PDTA123YT,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 | 21,000 | 3,000:$0.02407 6,000:$0.02171 15,000:$0.01888 |
PDTA123YT,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 | 0 | 24,000:$0.02124 |
PDTA114TT,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 50V 100MA SOT23 | 21,000 | 3,000:$0.02407 6,000:$0.02171 15,000:$0.01888 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大): | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大): | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧): | 1k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧): | 1k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): | 30 @ 40mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大): | 150mV @ 1.5mA,30mA |
电流 - 集电极截止(最大): | 1µA |
频率 - 转换: | - |
功率 - 最大: | 250mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装: | TO-236AB |
包装: | 带卷 (TR) |