分离式半导体产品 1N6483HE3/96品牌、价格、PDF参数
1N6483HE3/96 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| 1N6483HE3/96 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 800V DO-213AB |
0 |
6,000:$0.12200
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| 1N6482HE3/96 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 600V DO-213AB |
0 |
6,000:$0.12200
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| RGP02-14E-E3/54 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 0.5A 1400V 300NS DO-41 |
0 |
5,500:$0.10400
|
| RMPG06JHE3/73 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE FAST 1A 600V 200NS MPG06 |
0 |
6,000:$0.10400
|
| US1D/1 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE FAST 1A 200V SMA |
0 |
3,600:$0.11946
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1N6483HE3/96 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| 二极管类型: |
标准
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| 电压 - (Vr)（最大）: |
800V
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| 电流 - 平均整流 (Io): |
1A
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| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）: |
1.1V @ 1A
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| 速度: |
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
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| 反向恢复时间(trr): |
-
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| 电流 - 在 Vr 时反向漏电: |
10µA @ 800V
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| 电容@ Vr, F: |
-
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
DO-213AB，MELF
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| 供应商设备封装: |
DO-213AB
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| 包装: |
带卷 (TR)
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