分离式半导体产品 EGL41G/1品牌、价格、PDF参数

EGL41G/1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
EGL41G/1 Vishay General Semiconductor DIODE FAST 1A 400V DO-213AB 0 4,000:$0.11700
GL41THE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE 1A 1300V STD MELF 0 10,000:$0.11600
GL41MHE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE 1A 1000V STD MELF 0 10,000:$0.11600
GL41GHE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE 1A 400V STD MELF 0 10,000:$0.11600
RMPG06GHE3/54 Vishay General Semiconductor DIODE FAST 1A 400V 150NS MPG06 0 5,500:$0.10400
GL41AHE3/97 Vishay General Semiconductor DIODE 1A 50V STD MELF 0 10,000:$0.11600
ES2C-E3/5BT Vishay General Semiconductor DIODE 2A 150V 20NS DO-214AA SMB 0 6,400:$0.11600
ES2A-E3/5BT Vishay General Semiconductor DIODE 2A 50V 20NS DO-214AA SMB 0 6,400:$0.11600
SB220-E3/73 Vishay General Semiconductor DIODE SCHOTTKY 20V 2A AXIAL 0 4,000:$0.11600
DGP15-E3/54 Vishay General Semiconductor DIODE 1.5A 1500V SMC 0 4,000:$0.11400
BYM07-100HE3/83 Vishay General Semiconductor DIODE 0.5A 100V 50NS DO-213AA 0 9,000:$0.12800
EGL41G/1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 400V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 1A
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 400V
电容@ Vr, F: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-213AB,MELF
供应商设备封装: DO-213AB
包装: 带卷 (TR)