分离式半导体产品 MSE1PB-M3/89A品牌、价格、PDF参数

MSE1PB-M3/89A • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
MSE1PB-M3/89A Vishay General Semiconductor DIODE ESD PROT 1A 100V MICROSMP 0 9,000:$0.05500
SE15PJ-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 1.5A 600V DO-220AA 0 10,000:$0.05400
SE15PG-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 1.5A 400V DO-220AA 0 10,000:$0.05400
SE15PD-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 1.5A 200V DO-220AA 0 10,000:$0.05400
SE15PB-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 1.5A 100V DO-220AA 0 10,000:$0.05400
SE10PJ-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 1.0A 600V DO-220AA 0 10,000:$0.05200
SE10PG-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 1.0A 400V DO-220AA 0 10,000:$0.05200
SE10PD-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 1.0A 200V DO-220AA 0 10,000:$0.05200
SE10PB-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 1.0A 100V DO-220AA 0 10,000:$0.05200
S1PM-E3/85A Vishay General Semiconductor DIODE GPP 1A 1000V SMP DO-220AA 0 10,000:$0.05000
MSE1PB-M3/89A • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 1A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 780ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 100V
电容@ Vr, F: 5pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: MicroSMP
供应商设备封装: MicroSMP
包装: 带卷 (TR)