分离式半导体产品 S2BHE3/52T品牌、价格、PDF参数
S2BHE3/52T • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| S2BHE3/52T |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1.5A 100V DO-214AA |
0 |
4,500:$0.09900
|
| S2AHE3/52T |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1.5A 50V DO-214AA |
0 |
4,500:$0.09900
|
| 1N5393GP-E3/73 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1.5A 200V DO-204AC |
0 |
6,000:$0.09700
|
| 1N4586GP-E3/73 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 1000V DO-204AL |
0 |
6,000:$0.09700
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| GL41Y/1 |
Vishay General Semiconductor |
RECTIFIER 1A 1600V DO213AB |
0 |
6,000:$0.09700
|
| RS1KHE3/61T |
Vishay General Semiconductor |
DIODE FAST 1A 800V 500NS SMA |
0 |
7,200:$0.09600
|
| RS1JHE3/61T |
Vishay General Semiconductor |
DIODE FAST 1A 600V 250NS SMA |
0 |
7,200:$0.09600
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S2BHE3/52T • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| 二极管类型: |
标准
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| 电压 - (Vr)（最大）: |
100V
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| 电流 - 平均整流 (Io): |
1.5A
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| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）: |
1.15V @ 1.5A
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| 速度: |
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
|
| 反向恢复时间(trr): |
2µs
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| 电流 - 在 Vr 时反向漏电: |
1µA @ 100V
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| 电容@ Vr, F: |
-
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
DO-214AA，SMB
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| 供应商设备封装: |
DO-214AA（SMB）
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| 包装: |
带卷 (TR)
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