| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| 2SJ352-E | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P | 0 | |
| 2SJ162-E | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P | 0 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | - |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 800pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 100W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装: | TO-3P |
| 包装: | 管件 |