分离式半导体产品 PHB38N02LT,118品牌、价格、PDF参数

PHB38N02LT,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHB38N02LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK 0
PHB174NQ04LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PHB174NQ04LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PHB174NQ04LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PHB152NQ03LTA,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK 0
PHB152NQ03LTA,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK 0
PHB152NQ03LTA,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK 0
PHB129NQ04LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PHB129NQ04LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PHB129NQ04LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PH4840S,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 0
PH4840S,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 0
PH4840S,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 0
PH20100S,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK 0
PH20100S,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK 0
PH20100S,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK 0
PHB38N02LT,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 44.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 25A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 800pF @ 20V
功率 - 最大: 57.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)