| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPI180N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3 | 0 | 1:$1.59000 10:$1.43700 25:$1.28280 100:$1.15450 250:$1.02620 500:$0.89792 1,000:$0.74400 2,500:$0.69268 5,000:$0.66703 |
| SPB80N03S2-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | 1,000:$1.59404 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 18 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 33µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1800pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 71W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装: | PG-TO262-3 |
| 包装: | 管件 |