分离式半导体产品 SI7452DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI7452DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI7452DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0
SI7476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC 0
SI7452DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.3 毫欧 @ 19.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.9W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)