分离式半导体产品 SI5449DC-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI5449DC-T1-GE3 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| SI5449DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8 |
0 |
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| SI5463EDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 |
0 |
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| SI5475DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
0 |
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| SI5480DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI5482DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI5858DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI7358ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7368DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7407DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 |
0 |
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| SI7445DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
0 |
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SI5449DC-T1-GE3 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
30V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
3.1A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
85 毫欧 @ 3.1A，4.5V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
600mV @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
11nC @ 4.5V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.3W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
8-SMD，扁平引线
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| 供应商设备封装: |
1206-8 ChipFET?
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| 包装: |
带卷 (TR)
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