| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | 0 | 1:$5.58000 10:$5.02000 25:$4.55560 100:$4.09070 250:$3.71880 500:$3.25396 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 17.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 190 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 730µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 151W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | PG-TO263 |
| 包装: | Digi-Reel® |