分离式半导体产品 IPB34CN10N G品牌、价格、PDF参数
IPB34CN10N G • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IPB34CN10N G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 |
0 |
1,000:$0.64920
|
| SPD07N20 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 200V 7A TO252 |
0 |
2,500:$0.50946
|
IPB34CN10N G • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
|
| FET 特点: |
标准
|
| 漏极至源极电压(Vdss): |
100V
|
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
27A
|
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
34 毫欧 @ 27A，10V
|
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 29µA
|
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
24nC @ 10V
|
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
1570pF @ 50V
|
| 功率 - 最大: |
58W
|
| 安装类型: |
表面贴装
|
| 封装/外壳: |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
|
| 供应商设备封装: |
PG-TO263-2
|
| 包装: |
带卷 (TR)
|