分离式半导体产品 IPI65R190CFD品牌、价格、PDF参数
IPI65R190CFD • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IPI65R190CFD |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262 |
0 |
10,000:$2.37074
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| IPP80N04S4-03 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 |
0 |
1,000:$0.72015
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IPI65R190CFD • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
650V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
17.5A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
190 毫欧 @ 7.3A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4.5V @ 730µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
68nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
1850pF @ 100V
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| 功率 - 最大: |
151W
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| 安装类型: |
通孔
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| 封装/外壳: |
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
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| 供应商设备封装: |
PG-TO262-3
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| 包装: |
管件
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