| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| BSC084P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 | 0 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 14.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.4 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 110µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 57.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4240pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 2.5W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装: | PG-TDSON-8 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |