| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD50R950CE | Infineon Technologies | MOSF 500V 4.3A PG-TO252 | 0 | 2,500:$0.50540 5,000:$0.48013 12,500:$0.46028 25,000:$0.44764 62,500:$0.43320 |
| BSP129 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | 0 | 2,000:$0.33307 |
| SPD09P06PL G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 | 0 | 2,500:$0.32944 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 950 毫欧 @ 1.2A，13V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 231pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 34W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装: | PG-TO252-3 |
| 包装: | 带卷 (TR) |