| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD220N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | 0 | 2,500:$0.31480 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 22 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 11µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1600pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 36W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装: | PG-TO252-3 |
| 包装: | 带卷 (TR) |