元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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IPI100N04S4-H2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1 | 0 | 500:$0.93992 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.7 毫欧 @ 100A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 70µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 7180pF @ 25V |
功率 - 最大: | 115W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装: | PG-TO262-3 |
包装: | 管件 |