| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| STP38N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 30A TO-220 | 0 | 1:$10.45000 10:$9.40500 25:$8.56920 100:$7.73300 250:$7.10600 500:$6.47900 1,000:$5.64300 2,500:$5.43400 5,000:$5.22500 |
| STW36NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 | 0 | 1:$8.50000 10:$7.65000 100:$6.29000 250:$5.78000 500:$5.27000 1,000:$4.59000 2,500:$4.42000 5,000:$4.25000 10,000:$4.18200 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 95 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 3000pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 190W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 供应商设备封装: | TO-220 |
| 包装: | 管件 |