元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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FCA20N60S_F109 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 650V TO-3PN | 0 | 450:$4.41040 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 260 毫欧 @ 10A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2250pF @ 25V |
功率 - 最大: | 260W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商设备封装: | TO-3PN |
包装: | 管件 |