分离式半导体产品 3LN01C-TB-H品牌、价格、PDF参数
3LN01C-TB-H • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| 3LN01C-TB-H |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP |
0 |
9,000:$0.07866
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| NVTE4151PT1G |
ON Semiconductor |
MOSFET P-CH 760MA 20V SC-89 |
0 |
9,000:$0.07650
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3LN01C-TB-H • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
30V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
150mA
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
-
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
1.58nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
7pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
250mW
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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| 供应商设备封装: |
3-CP
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| 包装: |
带卷 (TR)
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