| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | 0 | 60:$8.09750 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1 欧姆 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4700pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装: | TO-268 |
| 包装: | 管件 |