分离式半导体产品 IXTH16N10D2品牌、价格、PDF参数

IXTH16N10D2 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTH16N10D2 IXYS MOSFET N-CH 100V 16A TO-247 0 60:$7.79000
IXFQ26N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 0 60:$7.74900
IXTH16N10D2 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 64 毫欧 @ 8A,0V
Id 时的 Vgs(th)(最大): -
闸电荷(Qg) @ Vgs: 225nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5700pF @ 25V
功率 - 最大: 830W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件