元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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SSM6J503NU,LF | Toshiba | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A | 6,000 | 3,000:$0.20150 6,000:$0.18850 15,000:$0.17550 30,000:$0.16575 75,000:$0.16250 150,000:$0.15600 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 32.4 毫欧 @ 3A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 12.8nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 840pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 6-WDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装: | 6-uDFN(2x2) |
包装: | 带卷 (TR) |