分离式半导体产品 IXTH2R4N120P品牌、价格、PDF参数
IXTH2R4N120P • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IXTH2R4N120P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
0 |
90:$5.16600
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| IXFL38N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK |
0 |
25:$20.87600
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| IXTC180N055T |
IXYS |
MOSFET N-CH 55V ISOPLUS 220 |
0 |
100:$5.12450
|
| IXTC160N085T |
IXYS |
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220 |
0 |
100:$5.12450
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IXTH2R4N120P • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
1200V（1.2kV）
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
2.4A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4.5V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
37nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
1207pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
125W
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| 安装类型: |
通孔
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| 封装/外壳: |
TO-247-3
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| 供应商设备封装: |
TO-247
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| 包装: |
管件
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