分离式半导体产品 IXFT86N30T品牌、价格、PDF参数
IXFT86N30T • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IXFT86N30T |
IXYS |
MOSFET N-CH 300V 86A TO268 |
0 |
90:$6.02700
|
| IXTA72N20T |
IXYS |
MOSFET N-CH 200V 72A TO-263 |
0 |
150:$2.80853
|
| IXFT88N30P |
IXYS |
MOSFET N-CH 300V 88A TO268 |
0 |
90:$6.00656
|
| IXTX600N04T2 |
IXYS |
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 |
0 |
30:$14.61500
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| IXFL44N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
0 |
25:$19.97520
|
| IXTC62N15P |
IXYS |
MOSFET N-CH ISOPLUS-220 |
0 |
100:$4.71500
|
| IXTA62N25T |
IXYS |
MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 |
0 |
150:$2.80853
|
| IXTA50N25T |
IXYS |
MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
0 |
150:$2.80853
|
| IXTA90N15T |
IXYS |
MOSFET N-CH 150V 90A TO-263 |
0 |
150:$2.80853
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IXFT86N30T • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
300V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
86A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
43 毫欧 @ 500mA，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
5V @ 4mA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
180nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
11300pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
830W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
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| 供应商设备封装: |
TO-268
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| 包装: |
管件
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