分离式半导体产品 IXTP1R4N120P品牌、价格、PDF参数
IXTP1R4N120P • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IXTP1R4N120P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 |
0 |
150:$2.78800
|
| IXTU06N120P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 |
0 |
150:$2.78800
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IXTP1R4N120P • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
1200V（1.2kV）
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
1.4A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
13 欧姆 @ 500mA，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4.5V @ 100µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
24.8nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
666pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
86W
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| 安装类型: |
通孔
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| 封装/外壳: |
TO-220-3
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| 供应商设备封装: |
TO-220
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| 包装: |
管件
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