| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IXFT16N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 | 0 | 30:$13.32000 |
| IXTH98N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 | 0 | 120:$3.95650 |
| IXFT15N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | 20 | 1:$13.20000 10:$12.00000 100:$10.20000 250:$9.30000 500:$8.70000 1,000:$7.98000 2,500:$7.65000 5,000:$7.44000 10,000:$7.20000 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 950 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 660W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装: | TO-268 |
| 包装: | 管件 |