| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IXFT18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 | 10 | 1:$15.75000 10:$14.32000 100:$12.17200 250:$11.09800 500:$10.38200 1,000:$9.52280 2,500:$9.12900 5,000:$8.87840 10,000:$8.59200 |
| IXFR32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | 0 | 30:$15.63267 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 660 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4890pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 830W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装: | TO-268 |
| 包装: | 管件 |