分离式半导体产品 IXTA3N100P品牌、价格、PDF参数
IXTA3N100P • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IXTA3N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 |
0 |
200:$2.41900
|
| IXTD5N100A |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE |
0 |
31:$12.02516
|
| IXTP160N04T2 |
IXYS |
MOSFET N-CH 40V 160A TO-220 |
0 |
250:$1.95000
|
| IXFR12N120P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 |
0 |
60:$11.84000
|
| IXTP120N075T2 |
IXYS |
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 |
0 |
250:$1.95000
|
| IXFK420N10T |
IXYS |
MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 |
0 |
50:$11.80300
|
| IXTA300N04T2-7 |
IXYS |
MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 |
0 |
150:$3.58753
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IXTA3N100P • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
1000V（1kV）
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
3A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4.5V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
39nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
1100pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
125W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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| 供应商设备封装: |
TO-263
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| 包装: |
管件
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