分离式半导体产品 IXTA56N15T品牌、价格、PDF参数
IXTA56N15T • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IXTA56N15T |
IXYS |
MOSFET N-CH 150V 56A TO-263 |
0 |
250:$1.80000
|
| IXTA36N20T |
IXYS |
MOSFET N-CH 200V 36A TO-263 |
0 |
250:$1.80000
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| IXTH44N30T |
IXYS |
MOSFET N-CH 300V 44A TO-247 |
0 |
150:$3.19800
|
| IXTA2N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
0 |
250:$1.80000
|
| IXTA86N20T |
IXYS |
MOSFET N-CH 200V 86A TO-263 |
0 |
150:$3.19800
|
| IXTY08N120P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 |
0 |
225:$2.16000
|
| IXTQ72N20T |
IXYS |
MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P |
0 |
150:$3.07500
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IXTA56N15T • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
150V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
56A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
36 毫欧 @ 28A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4.5V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
34nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
2250pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
300W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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| 供应商设备封装: |
TO-263
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| 包装: |
管件
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